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參數資料
| 型號： | 2N3108 |
| 廠商： | SEMICOA CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 封裝： | TO-5, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 180K |
| 代理商： | 2N3108 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3053 | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N2197 | 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N2270 | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N2193A | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3947 | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3109 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N311 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | TO-43 |
| 2N3110 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3114CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications |
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