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參數資料
型號: 2N3439
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
中文描述: 1000 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
封裝: TO-39, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 18K
代理商: 2N3439
7V
1A
0.5A
5W
1W
–55 to 200°C
200°C
2N3439
2N3440
Prelim.12/99
HIGH VOLTAGE
NPN TRANSISTORS
FEATURES
DUAL SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE
APPLICATIONS:
These devices are particularly suited as dri-
vers in high-voltage low current inverters,
switing and series regulators.
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
Collector – Base Voltage (I
E
= 0)
Collector – Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter – Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
25°C
T
amb
50°C
T
stg
T
j
Storage Temperature
Junction Temperature
450V
350V
300V
250V
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
2N3439
2N3440
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Fax +44(0)1455 552612.
Website:
(0.89
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PDF描述
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