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參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4125RLRE
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/24頁(yè)
文件大小： 349K
代理商： 2N4125RLRE
2–18
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
30
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
30
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
200
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
30
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
30
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 20 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
50
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle = 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N4125
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
REV 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4125TPER1 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4125TPE1 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4125TPE2 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4125ZL1 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4125RL 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4125RLRM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N4125TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4125TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4125TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4125TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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