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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5317 |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2N5317 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2N5326 | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N3920 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6352 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5627 | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5318 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 10A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N5319 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 10A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N5320 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5320 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5320_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱(chēng):Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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