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參數資料
| 型號： | 2N5883.MOD |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | 2N5883.MOD |
SILICON EPITAXIAL
PNP TRANSISTOR
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Document Number 5981
Issue 3
Page 1 of 3
2N5883
High Voltage, Low Saturation Voltages.
Hermetic TO3 Metal Package.
Designed For Power Switching
and Linear Applications
Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
Collector – Base Voltage
-60V
VCEO
Collector – Emitter Voltage
-60V
VEBO
Emitter – Base Voltage
-5V
IC
Continuous Collector Current
-25A
ICM
Peak Collector Current
-50A
IB
Base Current
-7.5A
PD
Total Power Dissipation at
TC = 25°C
200W
Derate Above 25°C
1.14W/°C
TJ
Junction Temperature Range
-65 to +200°C
Tstg
Storage Temperature Range
-65 to +200°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols
Parameters
Max.
Units
RθJC
Thermal Resistance, Junction To Case
0.875
°C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6121 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6190 | 5000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N6230 | 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N7000 | DMOS Transistors (N-Channel) |
| 2N869A | 200 mA, 18 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5884 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5884G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5885G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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