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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6055 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | 2N6055 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6056 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6055 | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6056 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6057-JQR-A | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6057.MOD | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6055_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| 2N6056 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 |
| 2N6056/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Darlington Silicon Power Transistor |
| 2N6057 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6057_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
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