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參數資料
型號: 2N6386
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 36K
代理商: 2N6386
相關PDF資料
PDF描述
2N5684 50 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
2N5686 50 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
2N5686 50 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N5738.MOD 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
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相關代理商/技術參數
參數描述
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2N6387/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Medium-Power Transistors
2N6387_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium−Power Silicon Transistors DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTORS 8 AND 10 AMPERES 65 WATTS, 60 − 80 VOLTS
2N6387_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Silicon Transistors
2N6387G 功能描述:達林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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