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參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6667AF
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/61頁(yè)
文件大小： 376K
代理商： 2N6667AF
3–147
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Darlington Silicon
Power Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low speed switching applications.
High DC Current Gain — hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 200 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6667
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6668
Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 2 Vdc (Max) @ IC = 5 Adc
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
TO–220AB Compact Package
Complementary to 2N6387, 2N6388
COLLECTOR
EMITTER
[ 8 k
[ 120
Figure 1. Darlington Schematic
BASE
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
Symbol
2N6667
2N6668
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
80
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak
IC
10
15
Adc
Base Current
IB
250
mAdc
Total Device Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
65
0.52
watts
W/
_C
Total Device Dissipation @ TA = 25_C
Derate above 25
_C
PD
2
0.016
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
1.92
_C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θJA
62.5
_C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6609
(See 2N3773)
2N6667
2N6668
PNP SILICON
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
10 AMPERES
60 – 80 VOLTS
65 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6668AK 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668AS 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668AU 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668BC 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6667AJ 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6667G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6668 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
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