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參數資料
| 型號： | 2N6726 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2N6726 |
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 40 Volt VCEO
* Gain of 50 at IC = 1 Amp
*Ptot=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
2N6726
2N6727
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-40
-50
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-30
-40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Peak Pulse Current
ICM
-2
A
Continuous Collector Current
IC
-1
A
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
1W
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
2N6726
2N6727
UNIT CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-40
-50
V
IC=-1mA, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-30
-40
V
IC=-10mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
-5
V
IE=-1mA, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
-0.1
A
A
VCB=-40V, IE=0
VCB=-50V, IE=0
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
-0.1
A
VEB=-5V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
-0.5
V
IC=-1A, IB=-100mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
VBE(on)
-1.2
V
IC=-1A, VCE=-1V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
hFE
55
60
50
250
55
60
50
250
IC=-10mA, VCE=-1V*
IC=-100mA, VCE=-1V*
IC=-1A, VCE=-1V*
Transition
Frequency
fT
50
500
50
500
MHz
IC=-50mA, VCE=-10V
Collector Base
Capacitance
CCB
30
pF
VCE=-10V, f=1MHz
E-Line
TO92 Compatible
2N6726
2N6727
3-8
C
B
E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6727 | 2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-237AA |
| 2N6728 | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6730 | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6729 | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6728 | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6726STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6726STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6726STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6727 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6727STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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