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參數(shù)資料
型號: 2SC4581
廠商: Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd.
英文描述: Switching Power Transistor(10A NPN)
中文描述: 晶體管開關電源(10A條NPN)的
文件頁數(shù): 1/10頁
文件大小: 443K
代理商: 2SC4581
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : ITO-3P
FX Series
Switching Power Transistor
10A NPN
2SC4581
(TP10W45FX)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
CEX
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
Vdis
TOR
Conditions
Ratings
-55
~1
50
1
50
600
450
600
7
1
0
20
4
8
65
2
0.8
Unit
V
V
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
V
EB
= 5V
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
V
A
Collector Current Peak
Base Current DC
A
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Dielectric Strength
Mounting Torque
Tc = 25
Terminals to case, AC
1
minute
W
kV
N
m
Electrical Characteristics (Tc=25
)
Item
Collector to Emitter Sustaining Voltage
Symbol
V
CEO
(sus)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
h
FEL
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
θ
jc
f
T
ton
ts
tf
Conditions
Ratings
Min 450
Max 0.
1
Max 0.
1
Max 0.
1
Min
1
0
Min 5
Max
1
.0
Max
1
.5
Max
1
.92
STD 20
Max 0.5
Max 2.0
Max 0.2
Unit
V
mA
I
C
= 0.2A
At rated Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
At rated Voltage
mA
DC Current Gain
V
CE
= 5V, I
C
= 5A
V
CE
= 5V, I
C
=
1
mA
I
C
= 5A
I
B
=
1
A
Junction to case
V
CE
=
1
0V, I
C
=
1
A
I
C
= 5A
I
B
1
=
1
A, I
B2
= 2A
R
L
= 30
Ω
, V
BB2
= 4V
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage
Thermal Resistance
Transition Frequency
Turn on Time
Storage Time
Fall Time
/W
MHz
μ
s
相關PDF資料
PDF描述
2SC4582 Switching Power Transistor(15A NPN)
2SC4583 Switching Power Transistor(3A NPN)
2SC4584 Switching Power Transistor(6A NPN)
2SC4585 Switching Power Transistor(10A NPN)
2SC4603 Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4581-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4581-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4582-4100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=15 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4582-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=15 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4582-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=15 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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