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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5859 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE |
| 中文描述： | 東芝晶體管硅npn型三重擴(kuò)散梅薩型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | 2SC5859 |
2SC5859
2004-5-18
1
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
z
High Voltage
z
Low Saturation Voltage
z
High Speed
MAXIMUM RATINGS
(Tc = 25°C)
: V
CBO
= 1700 V
: V
CE
(sat)
= 3 V (max)
: t
f(2)
= 0.1 μs (Typ.)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector
Base Voltage
V
CBO
1700
V
Collector
Emitter Voltage
V
CEO
750
V
Emitter
Base Voltage
V
EBO
5
V
DC
I
C
23
Collector Current
Pulse
I
CP
46
A
Base Current
I
B
11.5
A
Collector Power Dissipation
P
C
210
W
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature Range
T
stg
55~150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Min
Typ.
Max
UNIT
Collector Cut
off Current
I
CBO
V
CB
= 1700 V, I
E
= 0
―
―
1
mA
Emitter Cut
off Current
I
EBO
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
―
―
100
μA
Collector
Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)
CEO
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
750
―
―
V
h
FE
(1)
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 A
20
―
55
h
FE
(2)
V
CE
= 5 V, I
C
= 8 A
10
―
22
DC Current Gain
h
FE
(3)
V
CE
= 5 V, I
C
= 18 A
4.5
―
8
―
Collector
Emitter Saturation Voltage
V
CE
(sat)
I
C
= 18 A, I
B
= 4.5 A
―
―
3
V
Base
Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
I
C
= 18 A, I
B
= 4.5 A
―
1.0
1.5
V
Transition Frequency
f
T
V
CE
= 10 V, I
C
= 0.1 A
―
2
―
MHz
Collector Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
―
320
―
pF
Storage Time
t
stg(1)
―
4
―
Fall Time
t
f(1)
I
CP
= 8 A , I
B1
(end) = 1 A
f
H
= 32 kHz
―
0.15
―
μs
Storage Time
t
stg(2)
―
1.8
―
Switching Time
Fall Time
t
f(2)
I
CP
= 7.5 A, I
B1
(end) = 1 A
f
H
= 100 kHz
―
0.1
―
μs
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F2A
Weight: 9.75 g (typ.)
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PDF描述 |
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