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參數資料
| 型號： | 2SD1824 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SD1824 |
1
Transistor
2SD1824
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency amplification
I
Features
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
High emitter to base voltage V
EBO
.
G
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–70
S–Mini Type Package
2.1
±
0.1
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
+
–
0
+
–
2
±
0
1.25
±
0.1
0.425
0.425
1
3
2
0
0
0
0
0.2
±
0.1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
100
100
15
50
20
150
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
f
T
Conditions
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
CE
= 60V, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 2mA
I
C
= 10mA, I
B
= 1mA
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
min
100
100
15
400
typ
0.05
90
max
100
1
1200
0.2
Unit
nA
μ
A
V
V
V
V
MHz
Marking symbol :
1V
*
h
FE
Rank classification
Rank
R
S
h
FE
400 ~ 800
600 ~ 1200
Marking Symbol
1VR
1VS
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| 2SD1824R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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