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參數資料
| 型號： | 2SD1947A |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, LAMP, SOLENOID DRIVE APPLICATIONS) |
| 中文描述： | npn型外延式（大電流開關，燈，電磁驅動應用） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | 2SD1947A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1958 | TV Horizontal Deflection Output, High-Power Switching Applications |
| 2SD1964 | Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) |
| 2SD1975 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) |
| 2SD1975A | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) |
| 2SD1977 | PNP EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFUSSED TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1947A(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, NPN, Power, D |
| 2SD1949Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1949T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1949T106Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1949T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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