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參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2462
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
中文描述: npn型三重?cái)U(kuò)散型(功率放大器應(yīng)用)
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大小: 191K
代理商: 2SD2462
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2465A Silicon NPN epitaxial planar type
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2SD2467 Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD247 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 80V 5A 50W BEC
2SD2470TP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN 10V 5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD24790RA 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A MT-3 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD2480(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SD2495 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM20 110V 6A 30W BCE
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