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參數資料
| 型號： | 2SD2562 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor |
| 中文描述： | npn型三重擴散硅平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 24K |
| 代理商： | 2SD2562 |
160
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
(Complement to type 2SB1649)
Application :
Audio, Series Regulator and General Purpose
External Dimensions
FM100(TO3PF)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SD2562
150
150
5
15
1
85(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
h
FE
Rank
O(5000to12000), P(6500to20000), Y(15000to30000)
2SD2562
100
max
100
max
150
min
5000
min
2.5
max
3.0
max
70
typ
120
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=150V
V
EB
=5V
I
C
=30mA
V
CE
=4V, I
C
=10A
I
C
=10A, I
B
=10mA
I
C
=10A, I
B
=10mA
V
CE
=12V, I
E
=–2A
V
CB
=10V, f=1MHz
Darlington
2S D2562
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
Safe Operating Area
(Single Pulse)
0
0
10
5
15
2
4
6
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
5A
I
B
=0.3mA
0.5mA
0.8mA
2mA
1.0mA
3mA
10mA
1.5mA
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
0
3
2
1
0.2
1
0.5
10
5
200
100
50
Base Current I
B
(mA)
C
C
(
I
C
=.15A
I
C
=.10A
I
C
=.5A
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
0
15
5
10
0
2
2.2
1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=4V)
1(a ep
2Ca m
–CaTp
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
Collector Current I
C
(A)
02
0.5
1
10
15
5
50000
1000
5000
10000
500
D
F
(V
CE
=4V)
Typ
02
0.5
1
10
15
5
50000
1000
5000
10000
500
D
F
(V
CE
=4V)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
Collector Current I
C
(A)
125C
–30C
25C
θ
j-a
–t
Characteristics
0.1
1.0
3.0
0.5
1
10
100
1000 2000
Time t(ms)
T
θ
j
(
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
(V
CE
=12V)
Emitter Current I
E
(A)
–0.05
0
–01
–0.5
–1
–5
–10
40
20
60
80
C
T
(
Z
)
Pc–Ta Derating
100
80
60
40
20
3.5
0
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
0
25
50
75
100
125
150
4.4
1.5
1.5
B
E
C
5.45
±0.1
3.3
±0.2
1
3
1.75
0
±
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
2
±
1
9
±
5
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
3.35
0.65
+0.2
-0.1
±0.2
3
0.8
a
b
Weight : Approx 6.5g
a. Type No.
b. Lot No.
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
40
R
L
(
)
4
I
C
(A)
10
V
(V)
–5
I
(mA)
–10
t
on
(
μ
s)
0.8typ
t
stg
(
μ
s)
4.0typ
t
f
(
μ
s)
1.2typ
I
(mA)
10
V
(V)
10
B
C
E
(70
)
Equivalent circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1649 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor |
| 2SD2565 | Silicon NPN triple diffusion planer type(For high voltage-withstand switching) |
| 2SD256 | NPN Transistor |
| 2SD257 | NPN Transistor |
| 2SD258 | NPN Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD256500A | 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD25730QA | 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2576 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2578 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR2SD2578-RG |
| 2SD2578RG | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
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