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參數(shù)資料
型號: 2SJ0364(2SJ364)
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 小信號デバイス-小信號場效應(yīng)管-接合形場效應(yīng)管
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 193K
代理商: 2SJ0364(2SJ364)
239
FET (
)
unit: mm
2SJ0364
(2SJ364)
P
I
G
G
1: Source
2: Drain
3: Gate
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
I
(Ta = 25°C)
·
V
GDS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
stg
65
20
10
150
150
55 ~ +150
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
(Ta = 25°C)
·
·
·
·
·
(
)
(
)
I
DSS*
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
R
DS(on)
C
iss
C
rss
V
DS
=
10V, V
GS
= 0
V
GS
= 30V, V
DS
= 0
I
G
= 10
μ
A, V
DS
= 0
V
DS
=
10V, I
D
=
10
μ
A
V
DS
=
10V, I
D
=
1mA, f = 1kHz
V
DS
=
10mV, V
GS
= 0
V
DS
=
10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
0.2
65
1.8
6
10
3.5
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
*
I
DSS
(
): 4M
1.5
2.5
300
12
4
I
DSS
(mA)
O
0.2 ~
1
4MO
P
0.6 ~
1.5
4MP
Q
1 ~
3
4MQ
R
2.5 ~
6
4MR
2
±
1.3
±0.1
0.3
+0.1
0.0
2.0
±0.2
1
±
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
±
0
0
+
0
0.15
+0.05
5
°
10
°
) ( )
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ0582 パワーデバイス - パワーMOS FET
2SJ101 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ103BL TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92
2SJ103GR Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ103Y TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ0536 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET
2SJ053600L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ0536G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ0582 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon P-channel power MOSFET
2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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