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參數資料
| 型號： | 2SK3325-ZJ |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SK3325-ZJ |
Data Sheet D14264EJ1V0DS00
7
2SK3325
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-220AB (MP-25)
2)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3)TO-263 (MP-25ZJ)
EQUIVALENT CIRCUIT
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
(08R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
Source
Body
Diode
Gate
Drain
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and
ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as
much as possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3326 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK332 | SILICON N CHANNEL TRANSISTOR |
| 2SK3352 | P- Channel Silicon MOS FET DC-DC Converter |
| 2SK3353 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SK3326-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 500V 10A 850m@10V IsolatedTO220 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 500V 10A 850m@10V IsolatedTO220 Bulk |
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