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參數資料
| 型號： | APT30GF60BNU1 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | APT30GF60BNU1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30GN60K | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT30GP60BDQ1G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GP60BDQ1G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GP60BDQ1 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GP60BDQ1 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT30GF60JCU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode |
| APT30GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT30GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT30GL100BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| APT30GN60B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
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