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參數(shù)資料
型號(hào): BUK638-800
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
中文描述: PowerMOS晶體管快速恢復(fù)二極管場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大小: 174K
代理商: BUK638-800
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PDF描述
BUK638-800A PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
BUK638-800B PowerMOS transistor Fast recovery diode FET
BUK7504-40A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUK7509-75 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUK7509-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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BUK6507-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V72ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,72A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,72A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
BUK6507-55C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6507-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V72ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,72A,SOT78
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