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CRYSTAL 4.2860MHZ D/C98

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CRYSTAL 4.2860MHZ D/C98 技術參數
  • CRY91(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 9.1V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:3,000 CRY82(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 8.2V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:1 CRY75(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 7.5V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:1 CRY68(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 6.8V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:1 CRY62(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±9.68% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:3,000 CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ18(TE85L,Q) CRZ18(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ22(TE85L,Q) CRZ22(TE85L,Q,M) CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F
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