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CY7C1245V18-300BZXI

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CY7C1245V18-300BZXI 技術參數
  • CY7C1245KV18-450BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 450MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1245KV18-400BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1245KV18-400BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1245KV18-400BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C12451KV18-400BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1M X 36 400MHz QDR II+ 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1250KV18-400BZI CY7C1250KV18-400BZXC CY7C1250KV18-450BZXC CY7C1250V18-333BZC CY7C1250V18-333BZXC CY7C1262XV18-366BZXC CY7C1262XV18-450BZXC CY7C12631KV18-400BZI CY7C1263KV18-400BZC CY7C1263KV18-400BZI CY7C1263KV18-400BZXI CY7C1263KV18-500BZXC CY7C1263KV18-550BZI CY7C1263KV18-550BZXC CY7C1263V18-375BZXC CY7C1263V18-400BZC CY7C1263V18-400BZXC CY7C1263XV18-600BZXC
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