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參數資料
| 型號： | D45VH1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁|第15A一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | D45VH1 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D45VH4 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-220AB |
| D73F5T1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251AA |
| D73F5T2 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252AA |
| RJH6686 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-218AC |
| RJH6687 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| D45VH10 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 80V 83W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| D45VH10G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 80V 83W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| D45VH10G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| D45VH4 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon PNP Power Transistors |
| D45VH7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-220AB |
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