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參數資料
| 型號： | DPBT8105 |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | 1A PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 第1A進步黨表面貼裝晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | DPBT8105 |
Lead-free Green
DS30514 Rev. 6 - 2
1 of 4
DPBT8105
www.diodes.com
Diodes Incorporated
DPBT8105
1A PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Epitaxial Planar Die Construction
Ideal for Medium Power Amplification and Switching
High Collector Current Rating
Complementary Version Available (DNBT8105)
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)
"Green Device" (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Characteristic
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
T
j
, T
STG
Value
-80
-60
-5
-1
-2
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
C
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Peak Pulse Collector Current
Operating and Storage and Temperature Range
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
A
E
J
L
TOP VIEW
M
B
C
C
H
G
D
K
B
E
Mechanical Data
Case: SOT-23
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish
Matte Tin annealed over Copper
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking (See Page 2): K82
Ordering & Date Code Information: See Page 4
Weight: 0.008 grams (approximate)
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
2. No purposefully added lead.
3. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.
E
B
C
SOT-23
Min
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Max
0.37
0.51
1.20
1.40
2.30
2.50
0.89
1.03
0.45
0.60
1.78
2.05
2.80
3.00
0.013
0.10
0.903
1.10
0.45
0.61
0.085
0.180
0
8
All Dimensions in mm
Thermal Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
P
d
R
JA
Typ
Max
300
417
Unit
mW
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
C/W
N
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DPBT8105-7 | 1A PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DT014L | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DT014 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DT452P | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DT453N | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DPBT8105_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:1A PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DPBT8105-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DPBW03F-05 | 功能描述:I/P:9-36VDC;O/P: 5V 300MA;SIP 制造商:mean well usa inc. 系列:DPBW03 包裝:- 零件狀態:在售 類型:隔離模塊 輸出數:2 電壓 - 輸入（最小值）:9V 電壓 - 輸入（最大值）:36V 電壓 - 輸出 1:5V 電壓 - 輸出 2:-5V 電壓 - 輸出 3:- 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:300mA，300mA 功率（W）:3W 電壓 - 隔離:1500V 應用:ITE（商業） 特性:遠程開/關，OCP，SCP，UVLO 工作溫度:-40°C ~ 85°C（有降額） 效率:81% 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-SIP 模塊，7 引線 大小/尺寸:0.86" 長 x 0.36" 寬 x 0.44" 高（21.8mm x 9.2mm x 11.1mm） 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| DPBW03F-12 | 功能描述:I/P:9-36VDC;O/P:12V 125MA;SIP 制造商:mean well usa inc. 系列:DPBW03 包裝:- 零件狀態:在售 類型:隔離模塊 輸出數:2 電壓 - 輸入（最小值）:9V 電壓 - 輸入（最大值）:36V 電壓 - 輸出 1:12V 電壓 - 輸出 2:-12V 電壓 - 輸出 3:- 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:125mA，125mA 功率（W）:3W 電壓 - 隔離:1500V 應用:ITE（商業） 特性:遠程開/關，OCP，SCP，UVLO 工作溫度:-40°C ~ 85°C（有降額） 效率:83% 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-SIP 模塊，7 引線 大小/尺寸:0.86" 長 x 0.36" 寬 x 0.44" 高（21.8mm x 9.2mm x 11.1mm） 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| DPBW03F-15 | 功能描述:I/P:9-36VDC;O/P:15V 100MA;SIP 制造商:mean well usa inc. 系列:DPBW03 包裝:- 零件狀態:在售 類型:隔離模塊 輸出數:2 電壓 - 輸入（最小值）:9V 電壓 - 輸入（最大值）:36V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:-15V 電壓 - 輸出 3:- 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:100mA，100mA 功率（W）:3W 電壓 - 隔離:1500V 應用:ITE（商業） 特性:遠程開/關，OCP，SCP，UVLO 工作溫度:-40°C ~ 85°C（有降額） 效率:81% 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-SIP 模塊，7 引線 大小/尺寸:0.86" 長 x 0.36" 寬 x 0.44" 高（21.8mm x 9.2mm x 11.1mm） 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
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