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參數(shù)資料
| 型號： | FMMT38 |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅平面中功率達(dá)林頓晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | FMMT38 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 3 – AUGUST 1996
FEATURES
*
60 Volt V
CEO
*
Gain of 10K at I
C
=0.5 Amp
PARTMARKING DETAILS –
FMMT38A – 4J
FMMT38B – 5J
FMMT38C – 7J
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
80
V
Collector-Emitter Voltage
60
V
Emitter-Base Voltage
10
V
Peak Pulse Current
800
mA
Continuous Collector Current
300
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
80
V
I
C
=10 A, I
E
=0
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
60
V
I
C
=10mA, I
B
=0
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
10
V
I
E
=10 A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=60V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
100
nA
V
EB
=8V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
1.25
V
I
C
=800mA, I
B
=8mA*
Base-Emitter
Turn-on Voltage
V
BE(on)
1.8
V
I
C
=800mA, V
CE
=5V*
Static
Forward
Current
Transfer
Ratio
FMMT38A h
FE
500
1000
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
FMMT38B
2000
4000
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
FMMT38C
5000
10000
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMT38A
FMMT38B
FMMT38C
C
B
E
3 - 100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT38A | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FMMT38B | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FMMT38C | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FMMT3903 | SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
| FMMT3904 | SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMMT38A | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FMMT38ATA | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FMMT38ATC | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FMMT38B | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FMMT38BTA | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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