| 型號： | FQI8N60CTU |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK |
| 產品培訓模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產品變化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 標準包裝： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 歐姆 @ 3.75A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1255pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應商設備封裝： | I2PAK |
| 包裝： | 管件 |