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參數資料
| 型號： | FXT751 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | FXT751 |
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 FEB 94
FEATURES
*
60 Volt V
CEO
*
2 Amp continuous current
*
P
tot
= 1 Watt
APPLICATIONS
*
Lamp, relay or solenoid drivers
*
Audio circuits
*
Replacement of TO126 and TO220 parts
REFER TO ZTX751 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-80
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-6
A
Continuous Collector Current
I
C
-2
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-80
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
V
IC=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
=-60V, I
E
=0
V
CB
=-60V,
T
amb
=100°C
V
EB
=-4V, I
C
=0
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-0.1
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-0.15
-0.28
-0.3
-0.5
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.90
-1.25
V
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-0.8
-1.0
V
IC=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
70
100
80
40
200
200
170
150
300
I
C
=-50mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
Transition
Frequency
f
T
100
140
MHz
Output Capacitance
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
C
obo
30
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
E-Line
TO92 Compatible
FXT751
3-57
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT753 | CONN 30POS 2MM SOCKET STR PC SMD |
| FXTA92 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FY5ACJ-03A | JT 4C 4#16 SKT WALL RECP |
| FZ1200R33KF2C-B5 | SANYO IC 15-PIN SIP |
| FZ1200R33KF2C | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FXT751SM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT751SMSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT751SMSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT751SMSTZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT751STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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