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參數(shù)資料
| 型號： | FZTA64 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RES MF 1.5K 5% .25W |
| 中文描述： | 0.5 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | FZTA64 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 5– MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS:
FZTA64
COMPLIMENTARY TYPE:
FZTA14
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
BM
P
tot
T
j
:T
stg
-30
V
Collector-Emitter Voltage
-30
V
Emitter-Base Voltage
-10
V
Peak Pulse Current
-800
mA
Continuous Collector Current
-500
mA
Peak Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-30
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-30
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-10
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-30V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-100
nA
V
EB
=-10V, I
C
=0
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Collector-Emitter Saturation
Voltage
-1.5
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-2.0
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
10K
20K
IC=-10mA, V
CE
=-5V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f=20MHz
Transition
Frequency
f
T
125
MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FZTA64
SOT223
2
1
3
4
TBA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZTA92 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| i960 VH | Embedded-PCI Processor(嵌入式PCI處理器) |
| ICS524 | LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER |
| ICS524MILF | LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER |
| ICS524MILFT | LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZTA64TA | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZTA64TC | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZTA92 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:PNP Silicon Planar High Voltage Transistor |
| FZTA92TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZTA92TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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