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2SC5695 (Q)

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述

2SC5695 (Q) 技術參數

2SC5663T2L 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SC5662T2LP 功能描述:TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:11V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:3.2GHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SC5662T2LN 功能描述:TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:11V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:56 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:3.2GHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:8,000 2SC5661T2LP 功能描述:TRANS NPN 20V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:1.5GHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SC5659T2LP 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SC5729T106Q 2SC5729T106R 2SC5730TLQ 2SC5730TLR 2SC5731T100Q 2SC5731T100R 2SC5732TLQ 2SC57390P 2SC5750-A 2SC5750-T1-A 2SC5751-A 2SC5751-T2-A 2SC5752-A 2SC5752-T1-A 2SC5753-A 2SC5753-T2-A 2SC5754-A 2SC5754-T2-A