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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFZ24 |
| 英文描述： | (166.12 k) |
| 中文描述： | （166.12十一） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | IRFZ24 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ24A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ24STRL | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFZ24STRR | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFZ24VL | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRFZ24VS | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ24A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRFZ24L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ24N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
| IRFZ24N,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A SOT78 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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