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參數資料
| 型號： | IRFZ24STRL |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | IRFZ24STRL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ24STRR | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFZ24VL | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRFZ24VS | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| IRFZ25 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ24N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor(N溝道增強型 TrenchMOS 晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFZ24STRLPBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V - Tape and Reel |
| IRFZ24STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ24STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ24V | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A) |
| IRFZ24VHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 17A 3PIN TO-220AB - Bulk |
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