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參數(shù)資料
型號(hào): IRFZ34STRL
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 30A條(丁)|對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大小: 42K
代理商: IRFZ34STRL
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ34STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
IRFZ34V TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
IRFZ12 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-220AB
IRFZ35 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB
IRFZ20FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ34STRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ34STRR 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ34STRRPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ34V 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
IRFZ34VL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
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