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參數資料
| 型號： | IRKL430-18 |
| 英文描述： | 1800V 430A Doubler Circuit Positive Phase Control Thyristor/Diode in a Super MAGN-A-Pak package |
| 中文描述： | 1800采用430A倍增器電路積極相位控制晶閘管/在超級磁共振二極管阿- Pak封裝 |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | IRKL430-18 |
IRK.430.. Series
8
Bulletin I27400 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 12 - Gate Characteristics
0.1
0.001
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VG D
IGD
(b)
(a)
T
°
T
(2)
(3)
Insta ntaneous Ga te C urrent (A)
I
a) Recommended load line for
rated di/dt : 20V, 10ohms; tr<=1
μs
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 10ohms
tr<=1 μs
(1)
(1) PGM = 10W, tp = 4ms
(2) PGM = 20W, tp = 2ms
(3) PGM = 40W, tp = 1ms
(4) PGM = 60W, tp = 0.66ms
Rectangular gate pulse
IRK.430.. Series Frequenc y Limited by PG(AV)
T
°
(4)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKT430-16 | 1600V 430A Doubler Circuit Positive Phase Control Thyristor/Thyristor in a Super MAGN-A-Pak package |
| IRKH430-16 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓16V,快速H結構絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRKH430-18 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓18V,H結構快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRKH430-20 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓20V,H結構快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRKL430-16 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓16V,快速L結構絕緣柵型雙極型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRKL430-20 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SUPER MAGN-A-pak-TM Power Modules |
| IRKL500-08 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKL500-12 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKL500-14 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKL500-16 | 功能描述:SCR模塊 1600 Volt 500 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發電壓 (Vgt): 柵觸發電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
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