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參數資料
| 型號： | KSP92 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | KSP92 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, July 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
Collector-Base Voltage
: KSP92
: KSP93
-300
-200
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSP92
: KSP93
-300
-200
-5
-500
625
5
1.5
12
150
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation (T
a
=25
°
C)
Derate above 25
°
C
Collector Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Derate above 25
°
C
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
mW/
°
C
W
mW/
°
C
°
C
°
C
P
C
T
J
T
STG
-55 ~ 150
Symbol
BV
CBO
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
Collector-Base Breakdown Voltage
: KSP92
: KSP93
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
-300
-200
V
V
BV
CEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
: KSP92
: KSP93
I
C
= -1mA, I
B
=0
-300
-200
-5
V
V
V
BV
EBO
I
CBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cur-off Current
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
: KSP92
: KSP93
V
CB
= -200V, I
E
=0
V
CB
= -160V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
=0
V
CE
= -10V, I
C
= -1mA
V
CE
= -10V, I
C
= -10mA
V
CE
= -10V, I
C
= -30mA
I
C
= -20mA, I
B
= -2mA
I
C
= -20mA, I
B
= -2mA
V
CE
= -20V, I
C
= -10mA, f=100MHz
-0.25
-0.25
-0.10
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
25
40
25
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
ob
*Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
-0.50
-0.90
V
V
50
MHz
: KSP92
: KSP93
V
CB
= -20V, I
E
=0
f=1MHz
6
8
pF
pF
KSP92/93
High Voltage Transistor
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSP93 | High Voltage Transistor |
| KSP94 | High Voltage Transistor |
| KSR1001 | NPN (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR1001 | Switching Application |
| KSR1002 | NPN (SWITCHING APPLICATION) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSP92ABU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP92ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP92BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP92H1TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP92S | 制造商:OTAX Corporation 功能描述:Tape & Reel |
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