- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374395 > KSR1004 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) NPN (SWITCHING APPLICATION) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KSR1004 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (SWITCHING APPLICATION) |
| 中文描述： | npn型（開關適用） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | KSR1004 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSR1005 | NPN (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR1005 | Switching Application |
| KSR1108 | NPN (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR1109 | NPN (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR1110 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSR1004BU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| KSR1004TA | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TO-92 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| KSR1004TAM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSR1005 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching Application |
| KSR1005TAM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。