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參數資料
| 型號： | MBM30LV0128-PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
| 中文描述： | 16M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP-48 |
| 文件頁數： | 16/43頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | MBM30LV0128-PFTR |
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MBM30LV0064
16
2.
AC Characteristics (Note 1)
(Continued)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Min.
Max.
CLE Setup Time
t
CLS
0
—
ns
CLE Hold Time
t
CLH
10
—
ns
CE Setup Time
t
CS
0
—
ns
CE Hold Time
t
CH
10
—
ns
Write Pulse Width
t
WP
25
—
ns
ALE Setup Time
t
ALS
0
—
ns
ALE Hold Time
t
ALH
10
—
ns
Data Setup Time
t
DS
20
—
ns
Data Hold Time
t
DH
10
—
ns
Write Cycle Time
t
WC
50
—
ns
WE High Hold Time
t
WH
15
—
ns
WP High to WE Low
t
WW
100
—
ns
Ready to RE Falling Edge
t
RR
20
—
ns
Read Pulse Width
t
RP
30
—
ns
Read Cycle Time
t
RC
50
—
ns
RE Access Time (Serial Data Access)
t
REA
—
35
ns
CE High Time for the Last Address in Serial Read Cycle (Note 3)
t
CEH
100
—
ns
RE Access Time (ID Read)
t
REAID
—
35
ns
RE High to Output High Impedance
t
RHZ
15
30
ns
CE High to Output High Impedance
t
CHZ
—
20
ns
RE High Hold Time
t
REH
15
—
ns
Output High Impedance to RE Falling Edge
t
IR
0
—
ns
RE Access Time (Status Read)
t
RSTO
—
35
ns
CE Access Time (Status Read)
t
CSTO
—
45
ns
WE High to RE Low
t
WHR
60
—
ns
ALE Low to RE Low (ID Read)
t
AR1
100
—
ns
CE Low to RE Low (ID Read)
t
CR
100
—
ns
μ
s
ns
Data Transfer from Memory Cell Array to Register
t
R
—
7
WE High to Busy
t
WB
—
100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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