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參數(shù)資料
| 型號： | MBM30LV0128-PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
| 中文描述： | 16M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 23/43頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | MBM30LV0128-PFTR |
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MBM30LV0064
23
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Figure 14 Read Cycle (1) Timing Diagram
Note: The CE signal must stay “Low” after the third address input and during Busy state.
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DS
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DH
t
REA
t
CHZ
t
RHZ
I/O0
to I/O7
***:Read Operation using 00h Command
Read Operation using 01h Command
N : 0 to 255
N : 256 to 511
CLE
ALE
: V
IH
or V
IL
Figure 15 Read Cycle (1) Timing Diagram: Interrupted by CE
Note: The CE signal must stay “Low” after the third address input and during Busy state.
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