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參數資料
型號: MPQ2222A
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 0.5 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
封裝: PLASTIC, DIP-14
文件頁數: 1/25頁
文件大小: 373K
代理商: MPQ2222A
2–460
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Quad General Purpose
Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPQ2222
MPQ2222A
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
30
40
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
60
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
500
mAdc
Each
Transistor
Total
Device
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
0.65
5.2
1.9
15.2
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
66
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
MPQ2222
MPQ2222A
V(BR)CEO
40
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IE = 0)
MPQ2222
MPQ2222A
V(BR)CBO
60
75
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
MPQ2222
MPQ2222A
V(BR)EBO
5.0
6.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 50 Vdc, IE = 0)
MPQ2222
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
MPQ2222A
ICBO
50
10
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
100
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPQ2222
MPQ2222A
*Motorola Preferred Device
CASE 646–06, STYLE 1
TO–116
1
14
*
1
2
3
4
567
14
13
12
11
10
9
8
NPN
(Replaces MPQ2221/D)
相關PDF資料
PDF描述
MPQ2484 50 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
MPQ2483 50 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
MPQ2907A 0.6 A, 60 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ2906 0.6 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ2907 0.6 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
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