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參數(shù)資料
型號(hào)： MPS751RLRM
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/34頁
文件大小： 342K
代理商： MPS751RLRM
2–529
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistors
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS650
MPS750
MPS651
MPS751
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCE
40
60
Vdc
Collector – Base Voltage
VCB
60
80
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
2.0
Adc
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watt
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
MPS650, MPS750
MPS651, MPS751
V(BR)CEO
40
60
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0 )
MPS650, MPS750
MPS651, MPS751
V(BR)CBO
60
80
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IC = 0, IE = 10 Adc)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
MPS650, MPS750
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
MPS651, MPS751
ICBO
—
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 4.0 V, IC = 0)
IEBO
—
0.1
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle = 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
NPN
MPS650
MPS651
PNP
MPS750
MPS751
*Motorola Preferred Devices
*
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
*
Voltage and current are
negative for PNP transistors
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
NPN
PNP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6520 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6521RLRP 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6521ZL1 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6521RL 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6521RLRM 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS751RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS751RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS751ZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS751ZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS7520A WAF 制造商:Texas Instruments 功能描述:
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