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參數資料
| 型號： | MPSW10RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 12/34頁 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | MPSW10RLRE |
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MPSW10
2–691
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 30 mAdc, VCE = 10 Vdc)
hFE
25
40
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 30 mAdc, IB = 3.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.75
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 30 mAdc, VCE = 10 Vdc)
VBE(on)
—
0.85
Vdc
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 20 MHz)
fT
45
—
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
3.0
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. DC Current Gain
200
20
1.0
h
FE
,D
C
U
RRENT
G
AIN
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS
)
0.6
0.4
0.3
0
0.1
10
1.0
TJ = 25°C
IC = 10 mA
0.2
0.5
2.0
5.0
20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. “On” Voltages
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1.4
0
1.0
20
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
5.0
10
50
70
VBE(sat) @ IC/IB = 10
2.0
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Temperature Coefficients
2.5
1.0
R
θVB for VBE
R
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
50
70 100
100
30
50
70
TJ = 125°C
25
°C
–55
°C
VCE = 10 V
0.5
0.2
0.1
IC = 20 mA
IC = 30 mA
3.0
7.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
5.0
10
50
70
2.0
100
3.0
7.0
1.5
2.0
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
IC
IB
+ 10
R
θVC for VCE(sat)
25
°C to 125°C
–55
°C to 25°C
–55
°C to 125°C
30
5.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW51ARLRA | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARL | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RLRM | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RL | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MPSW13RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW14 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW3725 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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