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參數資料
| 型號： | MPSW10RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/34頁 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | MPSW10RLRE |
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Packaging Specifications
6–8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TO–92 EIA RADIAL TAPE IN FAN FOLD BOX OR ON REEL
REEL STYLES
ARBOR HOLE DIA.
30.5mm
± 0.25mm
MARKING NOTE
RECESS DEPTH
9.5mm MIN
48 mm
MAX
CORE DIA.
82mm
± 1mm
HUB RECESS
76.2mm
± 1mm
365mm + 3, – 0mm
38.1mm
± 1mm
Material used must not cause deterioration of components or degrade lead solderability
CARRIER STRIP
ADHESIVE TAPE
ROUNDED
SIDE
FEED
Rounded side of transistor and adhesive tape visible.
ADHESIVE TAPE ON REVERSE SIDE
CARRIER STRIP
FLAT SIDE
FEED
Flat side of transistor and carrier strip visible
(adhesive tape on reverse side).
CARRIER STRIP
ADHESIVE TAPE
FLAT SIDE
FEED
Flat side of transistor and adhesive tape visible.
Rounded side of transistor and carrier strip visible
(adhesive tape on reverse side).
FEED
ADHESIVE TAPE ON REVERSE SIDE
CARRIER STRIP
ROUNDED
SIDE
Figure 8. Reel Specifications
Figure 9. Style A
Figure 10. Style B
Figure 11. Style E
Figure 12. Style F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW51ARLRA | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARL | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RLRM | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RL | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW13 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW13RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW13RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW14 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW3725 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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