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參數資料
| 型號： | MPSW10RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 337K |
| 代理商： | MPSW10RLRE |
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7–13
Surface Mount Information
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SOT–363
(SC–70 6 LEAD)
0.5 mm (min)
0.4
mm
(min)
0.65
mm
0.65
mm
1.9 mm
SOD–123
mm
inches
0.91
0.036
1.22
0.048
2.36
0.093
4.19
0.165
inches
mm
0.028
0.7
0.074
1.9
0.037
0.95
0.037
0.95
0.094
2.4
0.039
1.0
TSOP–6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW51ARLRA | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARL | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RLRM | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RL | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW13 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW13RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW13RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW14 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW3725 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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