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參數(shù)資料
| 型號： | MPSW10ZL1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/34頁 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | MPSW10ZL1 |
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MPSW10
2–692
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 5. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
100
TJ = 25°C
Ceb
Figure 6. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
70
50
30
20
10
TJ = 25°C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
f
,CURRENT–GAIN
—
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
200
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
Ccb
1.0
20
5.0
10
50
70
2.0
100
3.0
7.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
20
50
Figure 7. Active Region — Safe Operating Area
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN
LIMIT
500
200
100
50
20
10
100
200 300
100
s
1.0 ms
TA = 25°C
1 k
DUTY CYCLE
≤ 10%
1.0 s
30
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW10RLRA | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW10RL | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW10RLRE | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARLRA | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW13 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW13RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW13RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW14 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW3725 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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