欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW51ARL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/34頁(yè)
文件大小： 320K
代理商： MPSW51ARL
MPSW51 MPSW51A
2–705
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –10 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –100 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –1000 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
hFE
55
60
50
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = –1000 mAdc, IB = –100 mAdc)
VCE(sat)
—
–0.7
Vdc
Base – Emitter On Voltage
(IC = –1000 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
VBE(on)
—
–1.2
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain – Bandwidth Product
(IC = –50 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 20 MHz)
fT
50
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
30
pF
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector Saturation Region
Figure 3. “ON” Voltages
Figure 4. Temperature Coefficient
–1000
–10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
IB, BASE CURRENT (mA)
–5.0
–50
–0.6
–0.2
0
–100
–500
–1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
–200
h
FE
,CURRENT
GAIN
,COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
50
20
–100
–20
–50
–200
–500
–10 –20
–0.05 –0.1 –0.2
–2.0
–0.4
–0.8
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
TJ = 25°C
VBE(SAT) @ IC/IB = 10
–0.01
–0.5 –1.0
–0.02
–100
V
CE
–1000
–100
–500
–1.0
–200
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
qVB for VBE
–1000
q
V
°
VCE = –1.0 V
TJ = 25°C
VCE(SAT) @ IC/IB = 10
VBE(ON) @ VCE = –1.0 V
TJ = 25°C
IC =
–100
mA
IC =
–50 mA
IC =
–1000 mA
IC =
–10 mA
IC =
–500 mA
IC =
–250
mA
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW51RLRM 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RL 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RLRE 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51ARLRE 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51ARLRM 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW51ARLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 萍乡市| 石台县| 庆城县| 巩义市| 彩票| 永顺县| 简阳市| 筠连县| 信阳市| 英德市| 安福县| 本溪| 郧西县| 四子王旗| 晴隆县| 尤溪县| 汉中市| 怀集县| 普兰店市| 江永县| 竹北市| 平邑县| 汶川县| 嘉义市| 普兰店市| 台安县| 两当县| 共和县| 永吉县| 祁门县| 康定县| 荔波县| 普安县| 嘉定区| 京山县| 黄山市| 辽宁省| 积石山| 开远市| 屏南县| 许昌县|