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參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW51ARLRA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 32/34頁(yè)
文件大小： 320K
代理商： MPSW51ARLRA
Tape and Reel Specifications
6–4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
EMBOSSED TAPE AND REEL DATA FOR DISCRETES
A
Full Radius
T Max
G
20.2 mm Min
(.795
″)
1.5 mm Min
(.06
″)
13.0 mm
± 0.5 mm
(.512
″ ± .002″)
50 mm Min
(1.969
″)
Outside Dimension
Measured at Edge
Inside Dimension
Measured Near Hub
Size
A Max
G
T Max
8 mm
330 mm
(12.992
″)
8.4 mm + 1.5 mm, – 0.0
(.33
″ + .059″, –0.00)
14.4 mm
(.56
″)
12 mm
330 mm
(12.992
″)
12.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.49
″ + .079″, –0.00)
18.4 mm
(.72
″)
16 mm
360 mm
(14.173
″)
16.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.646
″ + .078″, –0.00)
22.4 mm
(.882
″)
24 mm
360 mm
(14.173
″)
24.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.961
″ + .070″, –0.00)
30.4 mm
(1.197
″)
Reel Dimensions
Metric Dimensions Govern — English are in parentheses for reference only
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW51ARL1 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51ARL 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RLRM 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RL 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RLRE 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW51ARLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51ARLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51RLRAG 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors
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