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參數資料
| 型號： | MPSW51RL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/34頁 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | MPSW51RL |
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6–7
Packaging Specifications
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TO–92 EIA RADIAL TAPE IN FAN FOLD BOX OR ON REEL
ADHESIVE TAPE ON
TOP SIDE
FLAT SIDE
CARRIER
STRIP
FLAT SIDE OF TRANSISTOR
AND ADHESIVE TAPE VISIBLE.
ADHESIVE TAPE ON
TOP SIDE
ROUNDED SIDE
CARRIER
STRIP
ROUNDED SIDE OF TRANSISTOR AND
ADHESIVE TAPE VISIBLE.
252 mm
9.92”
58 mm
2.28”
MAX
13”
MAX
330 mm
Style M fan fold box is equivalent to styles E and F of
reel pack dependent on feed orientation from box.
Style P fan fold box is equivalent to styles A and B of
reel pack dependent on feed orientation from box.
100 GRAM
PULL FORCE
16 mm
HOLDING
FIXTURE
HOLDING
FIXTURE
HOLDING
FIXTURE
16 mm
70 GRAM
PULL FORCE
500 GRAM PULL FORCE
The component shall not pull free with a 300 gram
load applied to the leads for 3
± 1 second.
The component shall not pull free with a 70 gram
load applied to the leads for 3
± 1 second.
There shall be no deviation in the leads and
no component leads shall be pulled free of
the tape with a 500 gram load applied to the
component body for 3
± 1 second.
Figure 2. Style M
Figure 3. Style P
Figure 4. Fan Fold Box Dimensions
Figure 5. Test #1
Figure 6. Test #2
Figure 7. Test #3
ADHESION PULL TESTS
FAN FOLD BOX STYLES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW51RLRE | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARLRE | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARLRM | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RL1 | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51AZL1 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW51RLRAG | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors |
| MPSW55 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW55_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors |
| MPSW55G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW55RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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