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參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW51RL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/34頁(yè)
文件大小： 320K
代理商： MPSW51RL
8–3
Package Outline Dimensions
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. PACKAGE CONTOUR OPTIONAL WITHIN DIA B
AND LENGTH A. HEAT SLUGS, IF ANY, SHALL BE
INCLUDED WITHIN THIS CYLINDER, BUT SHALL
NOT BE SUBJECT TO THE MIN LIMIT OF DIA B.
2. LEAD DIA NOT CONTROLLED IN ZONES F, TO
ALLOW FOR FLASH, LEAD FINISH BUILDUP,
AND MINOR IRREGULARITIES OTHER THAN
HEAT SLUGS.
CASE 51–02
(DO–204AA)
DO–7
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
5.84
7.62
0.230
0.300
B
2.16
2.72
0.085
0.107
D
0.46
0.56
0.018
0.022
F
–––
1.27
–––
0.050
K
25.40
38.10
1.000
1.500
All JEDEC dimensions and notes apply.
K
A
D
B
F
K
F
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND ZONE R IS
UNCONTROLLED.
4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.
DIMENSIONS D AND J APPLY BETWEEN L AND K
MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED
IN P AND BEYOND DIM K MINIMUM.
CASE 182–02
PLASTIC
(T0–226AC) TO–92
A
L
K
B
R
F
P
D
H
G
XX
SEATING
PLANE
12
V
N
C
N
SECTION X–X
D
J
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.175
0.205
4.45
5.21
B
0.170
0.210
4.32
5.33
C
0.125
0.165
3.18
4.49
D
0.016
0.022
0.41
0.56
F
0.016
0.019
0.407
0.482
G
0.050 BSC
1.27 BSC
H
0.100 BSC
3.54 BSC
J
0.014
0.016
0.36
0.41
K
0.500
–––
12.70
–––
L
0.250
–––
6.35
–––
N
0.080
0.105
2.03
2.66
P
–––
0.050
–––
1.27
R
0.115
–––
2.93
–––
V
0.135
–––
3.43
–––
STYLE 1:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW51RLRE 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51ARLRE 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51ARLRM 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RL1 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51AZL1 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW51RLRAG 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors
MPSW55 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW55_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
MPSW55G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW55RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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