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參數資料
| 型號： | MPSW51RLRM |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 12/34頁 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | MPSW51RLRM |
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MPSW51 MPSW51A
2–705
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –10 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –100 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –1000 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
hFE
55
60
50
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = –1000 mAdc, IB = –100 mAdc)
VCE(sat)
—
–0.7
Vdc
Base – Emitter On Voltage
(IC = –1000 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
VBE(on)
—
–1.2
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain – Bandwidth Product
(IC = –50 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 20 MHz)
fT
50
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
30
pF
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector Saturation Region
Figure 3. “ON” Voltages
Figure 4. Temperature Coefficient
–1000
–10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
IB, BASE CURRENT (mA)
–5.0
–50
–0.6
–0.2
0
–100
–500
–1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
–200
h
FE
,CURRENT
GAIN
,COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
50
20
–100
–20
–50
–200
–500
–10 –20
–0.05 –0.1 –0.2
–2.0
–0.4
–0.8
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
TJ = 25°C
VBE(SAT) @ IC/IB = 10
–0.01
–0.5 –1.0
–0.02
–100
V
CE
–1000
–100
–500
–1.0
–200
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
qVB for VBE
–1000
q
V
°
VCE = –1.0 V
TJ = 25°C
VCE(SAT) @ IC/IB = 10
VBE(ON) @ VCE = –1.0 V
TJ = 25°C
IC =
–100
mA
IC =
–50 mA
IC =
–1000 mA
IC =
–10 mA
IC =
–500 mA
IC =
–250
mA
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW51RL | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RLRE | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARLRE | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51ARLRM | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW51RL1 | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW55 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW55_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors |
| MPSW55G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW55RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW55RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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