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參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW51RLRM
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 23/34頁(yè)
文件大小： 320K
代理商： MPSW51RLRM
MPSW51 MPSW51A
2–706
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 5. Current Gain — Bandwidth Product
Figure 6. Capacitance
–20
–100
–10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
50
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
–5.0
–20
Cobo
160
120
80
0
–50
,CURRENT–GAIN
–
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
f T
–200
–1000
–500
300
–10
–25
–15
40
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
TJ = 25°C
–1.0
–4.0
Cibo
–2.0
–5.0
–3.0
Cobo
Cibo
VCE = –10 V
TJ = 25°C
f = 20 MHz
Figure 7. Active Region — Safe Operating
Area
–10
–1.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
–500
–200
–100
–50
–20
–10
–30
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
–2.0
–5.0
–40
–1.0 k
MPSW51
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPSW51A
–20
DUTY CYCLE
≤ 10%
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0 ms
100
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW51RL 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RLRE 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51ARLRE 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51ARLRM 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW51RL1 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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MPSW55_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
MPSW55G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW55RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW55RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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