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參數資料
| 型號： | MPSW51ZL1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數： | 26/34頁 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | MPSW51ZL1 |
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Reliability and Quality Assurance
9–20
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
UCL
LCL
UCL
LCL
CENTERLINE
A
B
C
B
A
B
C
B
A
B
C
B
A
B
C
B
A
ZONE A (+ 3 SIGMA)
ZONE B (+ 2 SIGMA)
ZONE C (+ 1 SIGMA)
ZONE C (– 1 SIGMA)
ZONE B (– 2 SIGMA)
ZONE A (– 3 SIGMA)
Figure 5. Control Chart Zones
Figure 6. One Point Outside Control Limit
Indicating Excessive Variability
Figure 7. Two Out of Three Points in Zone A or
Beyond Indicating Excessive Variability
Figure 8. Four Out of Five Points in Zone B or
Beyond Indicating Excessive Variability
Figure 9. Seven Out of Eight Points in Zone C or
Beyond Indicating Excessive Variability
SUMMARY
Motorola is committed to the use of STATISTICAL
PROCESS CONTROLS. These principles, used throughout
manufacturing have already resulted in many significant
improvements to the processes. Continued dedication to the
SPC culture will allow Motorola to reach the Six Sigma and
zero defect capability goals. SPC will further enhance the
commitment to TOTAL CUSTOMER SATISFACTION.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW63ZL1 | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW63RLRE | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRA | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRE | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW55 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW55_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors |
| MPSW55G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW55RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW55RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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