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參數(shù)資料
| 型號： | MPSW63RL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/34頁 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | MPSW63RL |
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2–710
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
One Watt Darlington Transistors
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPSW63
MPSW64
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCES
–30
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–30
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–10
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watt
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
125
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = –100 Adc, VBE = 0)
V(BR)CES
–30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–100
nAdc
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPSW63
MPSW64
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
2
3
*
*Motorola Preferred Device
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MQ82965BXU | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, CQFP164 |
| MR8255A/B | 24 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, QCC44 |
| MR82C37A-5/B | 4 CHANNEL(S), 5 MHz, DMA CONTROLLER, CQCC44 |
| MR82C37A/B | 4 CHANNEL(S), 8 MHz, DMA CONTROLLER, CQCC44 |
| MR82C54-12/B | 3 TIMER(S), PROGRAMMABLE TIMER, CQCC28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW63RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW63RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW64 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSW92 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW92_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
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